N型半导体和P型半导体所呈现的电性分别为( )
- A
正电,负电
- B
负电,正电
- C
负电,负电
- D
中性,中性
N型半导体和P型半导体所呈现的电性分别为( )
正电,负电
负电,正电
负电,负电
中性,中性
P型半导体:在硅(或锗)的晶体内掺入少量三价元素杂质,使其空穴数量远大于电子数量,以空穴导电为主,空穴为多数载流子,电子为少数载流子,半导体呈中性。
N型半导体:在硅(或锗)的晶体内掺入少量施主原子杂质,使其电子数量远大于空穴数量,以电子导电为主,电子为多数载流子,空穴为少数载流子,半导体呈中性。
多做几道
一高压同心圆球,外导体的半径为b,内导体的半径为a,其值可以自由选定。若b固定,要使半径为a的内导体表面上场强最小,b与a的比值应该是( )。
e
2
3
4
平板电容器,保持板上电荷量不变,充电后切断电源。当板间距离变为2倍时,两板间的力为( )。
F
F/2
F/4
F/8
一半径为1m的半球形导体球当作接地电极埋于地下,其平面部分与地面相重合,土壤的电导率 ,则此接地体的接地电阻为:( )。
15.92Ω
7.96Ω
63.68Ω
31.84Ω
一半径为R的金属半球,置于真空中的一无限大接地导电平板上,在球外有一点电荷q,位置如图所示。在用镜像法计算点电荷q受力时,需放置镜像电荷的数目为:( )。
4个
3个
2个
无限多
终端开路的无损耗传输线的长度为波长的多少倍时,其入端阻抗的绝对值不等于其特性阻抗?
八分之一
二分之一
八分之三
八分之七
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