题目

N型半导体和P型半导体所呈现的电性分别为(    )

  • A

    正电,负电

  • B

    负电,正电

  • C

    负电,负电

  • D

    中性,中性

D

P型半导体:在硅(或锗)的晶体内掺入少量三价元素杂质,使其空穴数量远大于电子数量,以空穴导电为主,空穴为多数载流子,电子为少数载流子,半导体呈中性。

N型半导体:在硅(或锗)的晶体内掺入少量施主原子杂质,使其电子数量远大于空穴数量,以电子导电为主,电子为多数载流子,空穴为少数载流子,半导体呈中性。

多做几道

一高压同心圆球,外导体的半径为b,内导体的半径为a,其值可以自由选定。若b固定,要使半径为a的内导体表面上场强最小,b与a的比值应该是(  )。

  • A

    e

  • B

    2

  • C

    3

  • D

    4

平板电容器,保持板上电荷量不变,充电后切断电源。当板间距离变为2倍时,两板间的力为(  )。

  • A

    F

  • B

    F/2

  • C

    F/4

  • D

    F/8

一半径为1m的半球形导体球当作接地电极埋于地下,其平面部分与地面相重合,土壤的电导率        ,则此接地体的接地电阻为:(  )。

  • A

    15.92Ω

  • B

    7.96Ω

  • C

    63.68Ω

  • D

    31.84Ω

一半径为R的金属半球,置于真空中的一无限大接地导电平板上,在球外有一点电荷q,位置如图所示。在用镜像法计算点电荷q受力时,需放置镜像电荷的数目为:(   )。

  • A

    4个

  • B

    3个

  • C

    2个

  • D

    无限多

终端开路的无损耗传输线的长度为波长的多少倍时,其入端阻抗的绝对值不等于其特性阻抗?

  • A

    八分之一

  • B

    二分之一

  • C

    八分之三

  • D

    八分之七

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